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MOSFET和三极管ON状态的区别?

时间:2021-04-22 15:19:26来源:平尚尅 作者:小谷 点击:
三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅由Vce来决定,即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小,所以三极管一般用饱和Vce表示。
MOSFET和三极管,在ON状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。

是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?

三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅由Vce来决定,即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小,所以三极管一般用饱和Vce表示。

MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区),与三极管相似,电流Ids由Vgs和Vds决定,但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变,因而Ids可仅受Vds影响,即在Vgs固定的情况下,导通阻抗Rds基本保持不变,所以MOS管采用Rds方式。

电流可以双向流过MOSFET的D和S ,正是MOSFET这个突出的优点,让同步整流中没有DCM的概念,能量可以从输入传递到输出,也可以从输出返还给输入,能实现能量双向流动。本文由盛锐电子网(www.jingao.net.cn)整理提供,部分内容来源于网络,如有侵犯到你的权利请与我们联系更正。

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