介绍IGBT工作原理

IGBT工作原理

方法

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。电路图专题网站“容源电路图网”，欢迎访问。汇聚大量电路图与你共同分享。》

导通    

IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT电路图电子流，并

关断    

当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在二极管的设备上，问题更加明显。   

鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。

阻断与闩锁    

当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低

当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。

IGBT在集电极与发射极晶闸管，如图1

当晶闸管

工作特性    

IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。   

IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压

IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs

IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压

Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh   

式中Uj1 ―― JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ――扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ――沟道电阻。   

通态电流Ids

Ids=(1+Bpnp)Imos   

式中Imos ――流过MOSFET 的电流。   

动态特性    

IGBT 在开通过程中，大部分时间是

IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极电源的

IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。

t(off)=td(off)+trv十t(f)   

式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。   

IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不

正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的